在樓宇控製的設計中，水浸探測器是一種很重要的電氣設備。水浸探測器讀出電路主要結構如圖所示，電路由三級組成，第一級像素級，1×64陣列的量子點-量子阱光電探測器，通過行掃描開關連到第二級CTIA-CDS讀出級。第三級是緩衝輸出級。為了抑製水浸探測器讀出過程器件與采樣係統產生的熱噪聲、1/f噪聲、暗電流噪聲和背景噪聲電流，采樣保持電路采用相關雙采樣結構。為了增加動態範圍，積分電容有2，10和12pF三種，為了抑製量子點存儲對光探測的影響，采用周期性倒空技術，在水浸探測器器件下電極端(VCOM)加周期性倒空信號，在光讀出前進行複位，減小量子點存儲電荷影響，增大水浸探測器微光探測靈敏度。